Transistor MOSFET International Rectifier IRFS7530TRL7PP, VDSS 60 V, ID 240 A, 338 A, D2PAK de 7 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
240 A, 338 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
StrongIRFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK, TO-263AB
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
236 nC a 10 V
Ancho
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
11.33mm
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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D2PAK, TO-263AB
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud:
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
236 nC a 10 V
Ancho
4.83mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
11.33mm
País de Origen
Mexico
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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