MOSFET Infineon SPD07N60C3BTMA1, VDSS 650 V, ID 7,3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 752-8498PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPD07N60C3BTMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

7,3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21 nC @ 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.73mm

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

6.22mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.41mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon CoolMOS™C3

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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N

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7,3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

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Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

600 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.9V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.73mm

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1

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6.22mm

Material del transistor

Si

Series

CoolMOS C3

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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Altura

2.41mm

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