MOSFET Infineon SPB80P06PGATMA1, VDSS -60 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Series
SIPMOS®
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
340 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
115 nC a 10 V
Altura
4.57mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
340 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Ancho
9.45mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Altura
4.57mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®
Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.
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