MOSFET Infineon SI4435DYTRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
Si4435DYPbF
Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2,5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5mm
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 794,28
€ 0,199 Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
4000
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Tipo de Encapsulado
SO-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2,5 W
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
40 nC a 10 V
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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