Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Series
IRL3103PbF
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
94 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
16 V
Temperatura de funcionamiento máxima
+175 °C
Longitud
10.54mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 4,5 V
Profundidad
4.69mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
15.24mm
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Series
IRL3103PbF
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
94 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
16 V
Temperatura de funcionamiento máxima
+175 °C
Longitud
10.54mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 4,5 V
Profundidad
4.69mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
15.24mm