MOSFET Infineon IPB020N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, TO 263 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado
TO 263
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
168 nC a 10 V
Profundidad
11.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
4.57mm
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€ 2,70
Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
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Conteo de Pines
3
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud:
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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