Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
191 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC
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€ 0,805
Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPB014N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 191 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
800
€ 0,805
Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPB014N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 191 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
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800
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
800 - 800 | € 0,805 | € 643,84 |
1600+ | € 0,765 | € 611,70 |
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InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
191 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC