Módulo IGBT, FF150R12KE3GB2HOSA1, N-Canal, 225 A, 1.200 V, Módulo 62MM, 7-Pines, 1MHZ Serie
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
N
Velocidad de Conmutación
1MHz
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de montaje
Panel Mount
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Conteo de Pines
7
Transistor Configuration
Serie
Temperatura Máxima de Operación
125 °C
Configuration
Series
Corriente Máxima Continua del Colector
225 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Disipación de Potencia Máxima
780000 mW
Brand
InfineonTipo de Encapsulado
Módulo 62MM
Dimensiones
106.4 x 61.4 x 29mm
País de Origen
China
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€ 104,84
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10 - 10 | € 104,84 | € 1.048,40 |
20+ | € 99,598 | € 995,98 |
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Especificaciones
Tipo de Canal
N
Velocidad de Conmutación
1MHz
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de montaje
Panel Mount
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-40 ºC
Conteo de Pines
7
Transistor Configuration
Serie
Temperatura Máxima de Operación
125 °C
Configuration
Series
Corriente Máxima Continua del Colector
225 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Disipación de Potencia Máxima
780000 mW
Brand
InfineonTipo de Encapsulado
Módulo 62MM
Dimensiones
106.4 x 61.4 x 29mm
País de Origen
China