MOSFET Infineon BSC070N10NS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 906-4359PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSC070N10NS3GATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Series

OptiMOS™ 3

Tipo de Encapsulado

TDSON

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

63 nC a 10 V

Ancho

5.35mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.1mm

Datos del producto

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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TDSON

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

63 nC a 10 V

Ancho

5.35mm

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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Tensión de diodo directa

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Altura

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