Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
62 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,011 O
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | € 2,585 | € 12,92 |
25 - 45 | € 2,456 | € 12,28 |
50 - 120 | € 2,208 | € 11,04 |
125 - 245 | € 1,989 | € 9,94 |
250+ | € 1,891 | € 9,45 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
62 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,011 O
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
Si