Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X2-DFN1006
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
700 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
0.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,3 nC a 10 V
Altura
0.35mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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€ 0,033
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
3000 - 6000 | € 0,033 | € 98,57 |
9000 - 12000 | € 0,032 | € 95,05 |
15000+ | € 0,032 | € 95,05 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
DiodesZetexTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
X2-DFN1006
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
700 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
0.65mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.05mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,3 nC a 10 V
Altura
0.35mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China