Memoria SRAM Cypress Semiconductor, 256kbit, 32 K x 8, 1MHZ, SOIC-32, VCC máx. 3,6 V
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32 K x 8
Número de Palabras
32K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
15bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
32
Dimensiones
20.878 x 7.594 x 2.286mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
2.286mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
20.88mm
Profundidad
7.594mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
RAM no volátil, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).
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P.O.A.
1
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Tamaño de la Memoria
256kbit
Organización
32 K x 8
Número de Palabras
32K
Número de Bits de Palabra
8bit
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
45ns
Ancho del Bus de Direcciones
15bit
Frecuencia de Reloj
1MHz
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Conteo de Pines
32
Dimensiones
20.878 x 7.594 x 2.286mm
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Altura
2.286mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud:
20.88mm
Profundidad
7.594mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
RAM no volátil, Cypress Semiconductor
Non-Volatile RAM (NVRAM)
NVRAMs are modules containing a CMOS static RAM and a non-rechargeable Lithium battery to maintain the data when the power supply is removed. Some devices in the range also incorporate a real-time clock (RTC).