MOSFET Wolfspeed C2M1000170D, VDSS 1700 V, ID 5 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 145-6660Marca: WolfspeedNúmero de parte de fabricante: C2M1000170D
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Wolfspeed

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1700 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.4V

Disipación de Potencia Máxima

69 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-5 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

5.21mm

Largo

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 20 V, 13 nC a 5 V

Material del transistor

SiC

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

3.8V

Altura

21.1mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
• Es fácil conectar diversos dispositivos en paralelo y controlarlos
• Conmutación de alta velocidad con baja resistencia de conexión
• Funcionamiento con cierre resistente

MOSFET Transistors, Wolfspeed

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$ 290,02

$ 9,667 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)

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30

Disponible en múltiplos de 30
30$ 290,02
60$ 580,04
90$ 870,05
120$ 1.160,07
150$ 1.412,30
180$ 1.694,76
210$ 1.977,21
240$ 2.259,67
270$ 2.542,13
300$ 2.755,17
330$ 3.030,69
360$ 3.306,20
390$ 3.581,72
420$ 3.857,24
450$ 4.132,75

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270$ 2.542,13
300$ 2.755,17
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
30 - 120$ 9,667$ 290,02
150 - 270$ 9,415$ 282,46
300+$ 9,184$ 275,52

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N

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5 A

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1700 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.4V

Disipación de Potencia Máxima

69 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-5 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Anchura

5.21mm

Largo

16.13mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

13 nC a 20 V, 13 nC a 5 V

Material del transistor

SiC

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

3.8V

Altura

21.1mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed

MOSFET de potencia de carburo de silicio Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ y C3M™ Una gama de MOSFET de SiC de segunda generación de la división de potencia Wolfspeed de Cree que proporciona eficiencia de conmutación y densidad de potencia líder del sector. Estos dispositivos de baja capacitancia permiten mayores frecuencias de conmutación y tienen requisitos de refrigeración reducidos que mejoran la eficiencia de funcionamiento general del sistema

• Modo de mejora de la tecnología SiC de canal N
• Altas tensiones de ruptura de fuente de drenaje hasta 1.200 V
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