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MOSFET Vishay SI7121DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9,6 A, PowerPAK 1212-8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 818-1380Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI7121DN-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

9.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

26 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

27.8 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Profundidad

3.15mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

33 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.07mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-50 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 10,10

€ 1,01 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

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Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 10,10
20€ 20,20
30€ 30,31
40€ 40,41
50€ 50,51
60€ 60,61
70€ 70,72
80€ 80,82
90€ 90,92
100€ 80,82
110€ 88,90
120€ 96,98
130€ 105,06
140€ 113,15
150€ 121,23

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
10 - 90€ 1,01€ 10,10
100 - 240€ 0,808€ 8,08
250 - 490€ 0,626€ 6,26
500 - 990€ 0,555€ 5,55
1000+€ 0,475€ 4,75

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Tipo de Canal

P

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9.6 A

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Tipo de Encapsulado

PowerPAK 1212-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

26 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

27.8 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Profundidad

3.15mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

33 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.07mm

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