MOSFET Vishay SI5419DU-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 9,9 A, PowerPAK ChipFET de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK ChipFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
31000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.98mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.08mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.85mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,256 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
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Modo de Canal
Mejora
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Disipación de Potencia Máxima
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Si
Número de Elementos por Chip
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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