Transistor MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 2.4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

120 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1.4 W

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14,5 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

5mm

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Altura

1.55mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Taiwan, Province Of China