MOSFET Vishay SI4532CDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 4,3 A, 6 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.3 A, 6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 mΩ, 140 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.78 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 10 V, 7,8 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 11,31
€ 0,566 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
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20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,566 | € 11,32 |
| 200 - 480 | € 0,48 | € 9,60 |
| 500 - 980 | € 0,453 | € 9,06 |
| 1000 - 1980 | € 0,425 | € 8,51 |
| 2000+ | € 0,396 | € 7,92 |
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 mΩ, 140 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.78 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6 nC a 10 V, 7,8 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
5mm
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1.5mm
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