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MOSFET Vishay SI4162DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 13.6 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 710-3323Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI4162DY-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

13.6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V, 8,8 nC a 4,5 V

Profundidad

4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

5mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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$ 4,18

$ 0,837 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET Vishay SI4162DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 13.6 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 4,18
10$ 8,37
15$ 12,55
20$ 16,74
25$ 20,92
30$ 25,10
35$ 29,29
40$ 33,47
45$ 37,66
50$ 39,41
55$ 43,35
60$ 47,29
65$ 51,23
70$ 55,18
75$ 59,12

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40$ 33,47
45$ 37,66
50$ 39,41
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 45$ 0,837$ 4,18
50 - 245$ 0,788$ 3,94
250 - 495$ 0,713$ 3,56
500 - 1245$ 0,669$ 3,35
1250+$ 0,629$ 3,14

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N

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Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

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Profundidad

4mm

Material del transistor

Si

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Longitud

5mm

Temperatura máxima de funcionamiento

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Altura

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