MOSFET Vishay SI4124DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
5.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
5mm
Material del transistor
Si
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
51 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 13,02
€ 1,302 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,302 | € 13,02 |
| 50 - 90 | € 1,224 | € 12,24 |
| 100 - 240 | € 1,108 | € 11,08 |
| 250 - 490 | € 1,042 | € 10,42 |
| 500+ | € 0,977 | € 9,77 |
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8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
5.7 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
5mm
Material del transistor
Si
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Altura
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