Transistor MOSFET Vishay SI2306BDS-T1-E3, VDSS 30 V, ID 3,1 A, TO-236 de 3 pines

Código de producto RS: 710-4676PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: SI2306BDS-T1-E3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TO-236

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

47 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

750 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

3.04mm

Anchura

1.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.02mm

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Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

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Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

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Tipo de Encapsulado

TO-236

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

47 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

750 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

3.04mm

Anchura

1.4mm

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