Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Ancho
5.31mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.82mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
$ 18,04
$ 3,607 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
$ 18,04
$ 3,607 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 20 | $ 3,607 | $ 18,04 |
25 - 45 | $ 3,068 | $ 15,34 |
50 - 120 | $ 2,707 | $ 13,54 |
125 - 245 | $ 2,525 | $ 12,63 |
250+ | $ 2,346 | $ 11,73 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Ancho
5.31mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.82mm
Datos del producto