MOSFET Vishay IRFBG20PBF, VDSS 1.000 V, ID 1,4 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1000 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
11 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
38 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.41mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 1,69
€ 1,69 Each (Sin IVA)
1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 1,69 |
| 10 - 49 | € 1,42 |
| 50 - 99 | € 1,35 |
| 100 - 249 | € 1,27 |
| 250+ | € 1,19 |
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Altura
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