MOSFET Vishay IRF820PBF, VDSS 500 V, ID 2,5 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.41mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.01mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 6,92
€ 0,69 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Cinta)
10
€ 6,92
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Empaque de Producción (Cinta)
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 10 - 49 | € 0,69 |
| 50 - 99 | € 0,61 |
| 100 - 249 | € 0,57 |
| 250+ | € 0,53 |
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TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Ancho
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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