MOSFET Vishay IRF620PBF, VDSS 200 V, ID 5,2 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.41mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
9.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 0,89
€ 0,89 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 0,89
€ 0,89 Each (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
1
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 0,89 |
10 - 49 | € 0,81 |
50 - 99 | € 0,78 |
100 - 249 | € 0,68 |
250+ | € 0,63 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
800 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
50 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Anchura
4.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.41mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
9.01mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto