Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 6-Pin SC-70-6L SQA405EJ-T1_GE3

Código de producto RS: 178-3711Marca: Vishay SiliconixNúmero de parte de fabricante: SQA405EJ-T1_GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay Siliconix

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

TrenchFET

Tipo de Encapsulado

SC-70-6L

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

80 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

13.6 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

26 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Altura

1mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China

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$ 685,42

$ 0,228 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 10 A, 40 V, 6-Pin SC-70-6L SQA405EJ-T1_GE3

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000$ 685,42
6000$ 1.370,84
9000$ 2.056,26
12000$ 2.741,68
15000$ 3.427,10
18000$ 4.112,52
21000$ 4.797,94
24000$ 5.483,35
27000$ 6.168,77
30000$ 6.854,19
33000$ 7.539,61
36000$ 8.225,03
39000$ 8.910,45
42000$ 9.595,87
45000$ 10.281,29

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P

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40 V

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TrenchFET

Tipo de Encapsulado

SC-70-6L

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

80 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

13.6 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

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1

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

26 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

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1mm

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