Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 10 A, 30 V, 6-Pin SC-70-6L SQA403EJ-T1_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-70-6L
Series
TrenchFET
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
13.6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
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€ 531,50
€ 0,177 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
30 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
13.6 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
26 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Estándar de automoción
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