MOSFET Toshiba TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
62 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
400000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.02mm
Material del transistor
Si
Altura
20.95mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 8,18
€ 8,18 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 8,18 |
| 10 - 49 | € 6,71 |
| 50 - 99 | € 6,14 |
| 100 - 199 | € 5,74 |
| 200+ | € 5,32 |
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
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1
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Profundidad
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Si
Altura
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