MOSFET Toshiba TK40E10N1,S1X(S, VDSS 100 V, ID 90 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 827-6220Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK40E10N1,S1X(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

90 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8.2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

126 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

4.45mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

49 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

15.1mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET Transistors, Toshiba

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$ 8,28

$ 1,657 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

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8.2 mΩ

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Mejora

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4V

Disipación de Potencia Máxima

126 W

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Ancho

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Material del transistor

Si

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1

Longitud

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

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