MOSFET Toshiba TK10A60W,S4VX(M, VDSS 600 V, ID 9,7 A, TO-220SIS de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.5mm
Longitud:
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.7V
Altura
15mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 5,52
€ 1,104 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
€ 5,52
€ 1,104 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,104 | € 5,52 |
| 25 - 45 | € 0,716 | € 3,58 |
| 50 - 120 | € 0,697 | € 3,48 |
| 125 - 245 | € 0,68 | € 3,40 |
| 250+ | € 0,661 | € 3,30 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
DTMOSIV
Tipo de Encapsulado
TO-220SIS
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
380 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.5mm
Longitud:
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.7V
Altura
15mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET Transistors, Toshiba
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products