Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.2 to 3.0mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-50V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-346 (SC-59)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Longitud
2.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Ancho
1.5mm
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
$ 3,87
$ 0,387 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
$ 3,87
$ 0,387 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | $ 0,387 | $ 3,87 |
100+ | $ 0,242 | $ 2,42 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.2 to 3.0mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
10 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
-50V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-346 (SC-59)
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Longitud
2.9mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Ancho
1.5mm
Altura
1.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, Toshiba TOSHIBA
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.