MOSFET Texas Instruments CSD19534KCS, VDSS 100 V, ID 100 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
17,1 nC a 0 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 7,55
€ 1,509 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 1,509 | € 7,55 |
| 25 - 45 | € 1,167 | € 5,84 |
| 50+ | € 1,143 | € 5,72 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
118 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
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4.7mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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