MOSFET Texas Instruments CSD18563Q5A, VDSS 60 V, ID 100 A, VSONP de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 168-4377Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD18563Q5A
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

NexFET

Tipo de Encapsulado

VSONP

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.7V

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

5mm

Longitud

5.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.1mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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€ 1.244,95

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N

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Series

NexFET

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VSONP

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.7V

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

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1

Profundidad

5mm

Longitud

5.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Temperatura Mínima de Operación

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