MOSFET Texas Instruments CSD18537NKCS, VDSS 60 V, ID 54 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
54 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
79000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 10 V
Profundidad
4.7mm
Material del transistor
Si
Series
NexFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
16.51mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Price on asking
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
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18 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
79000 mW
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Profundidad
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Material del transistor
Si
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NexFET
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