MOSFET STMicroelectronics STP6NK90ZFP, VDSS 900 V, ID 5,8 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.3mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 115,56
€ 2,311 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
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4.5V
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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