MOSFET STMicroelectronics STP140N8F7, VDSS 80 V, ID 90 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
STripFET H7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.6mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
96 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
15.75mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 15,33
€ 3,066 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 15,33
€ 3,066 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,066 | € 15,33 |
| 10+ | € 2,914 | € 14,57 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
90 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
STripFET H7
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.6mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
96 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
15.75mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products