MOSFET STMicroelectronics STP13NK60ZFP, VDSS 600 V, ID 13 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
66 nC a 10 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
16.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 11,32
€ 2,264 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,264 | € 11,32 |
| 10 - 95 | € 1,915 | € 9,57 |
| 100 - 495 | € 1,537 | € 7,68 |
| 500 - 995 | € 1,366 | € 6,83 |
| 1000+ | € 1,274 | € 6,37 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
66 nC a 10 V
Ancho
4.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
16.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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