MOSFET STMicroelectronics STB6NK90ZT4, VDSS 900 V, ID 5,8 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
900 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
9.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 700 V a 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Montaje superficial
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
140000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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