MOSFET STMicroelectronics STB60NF06LT4, VDSS 60 V, ID 60 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Profundidad
9.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Altura
4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 10,28
€ 2,056 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,056 | € 10,28 |
| 25 - 45 | € 1,954 | € 9,77 |
| 50 - 120 | € 1,757 | € 8,78 |
| 125 - 245 | € 1,581 | € 7,90 |
| 250+ | € 1,502 | € 7,51 |
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Tipo de montaje
Montaje superficial
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-15 V, +15 V
Profundidad
9.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
35 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Operación
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Altura
4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
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