MOSFET STMicroelectronics IRF630, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
31 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Price on asking
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Profundidad
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Altura
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