Transistor Darlington, BDX53C, NPN 8 A, 100 V, HFE:750, TO-220, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.5 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Profundidad
4.6mm
Altura
9.15mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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€ 28,69
€ 0,574 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,574 | € 28,69 |
| 100 - 200 | € 0,429 | € 21,47 |
| 250 - 450 | € 0,418 | € 20,88 |
| 500 - 950 | € 0,365 | € 18,24 |
| 1000+ | € 0,297 | € 14,84 |
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Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
2.5 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Profundidad
4.6mm
Altura
9.15mm
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