Transistor Darlington, BDW93C, NPN 12 A, 100 V, HFE:100, TO-220, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
12 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.1mA
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Profundidad
4.6mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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€ 27,69
€ 0,554 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,554 | € 27,69 |
| 100 - 200 | € 0,521 | € 26,03 |
| 250+ | € 0,498 | € 24,90 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.1mA
Dimensiones
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Profundidad
4.6mm
Altura
9.15mm
Longitud
10.4mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
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