Transistor Darlington, BD679, NPN 4 A, 80 V, HFE:750, SOT-32, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
7.8mm
Altura
10.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Ancho
2.7mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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€ 15,21
€ 0,304 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,304 | € 15,21 |
| 100 - 200 | € 0,289 | € 14,43 |
| 250 - 450 | € 0,274 | € 13,71 |
| 500+ | € 0,259 | € 12,93 |
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80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
7.8mm
Altura
10.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Ancho
2.7mm
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