Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
RUM001L02
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
Ω18
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
0.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
1.3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.45mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
$ 10,82
$ 0,072 Each (In a Pack of 150) (Sin IVA)
Estándar
150
$ 10,82
$ 0,072 Each (In a Pack of 150) (Sin IVA)
Estándar
150
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
150 - 600 | $ 0,072 | $ 10,82 |
750 - 1350 | $ 0,068 | $ 10,22 |
1500 - 3600 | $ 0,061 | $ 9,22 |
3750 - 7350 | $ 0,057 | $ 8,62 |
7500+ | $ 0,055 | $ 8,22 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
RUM001L02
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
Ω18
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Ancho
0.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
1.3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.45mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto