MOSFET ROHM RE1C001ZPTL, VDSS 20 V, ID 100 mA, SC-75 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
RE1C001ZP
Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
0.9mm
Longitud
1.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.7mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 6,89
€ 0,055 Each (In a Pack of 125) (Sin IVA)
125
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125
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 125 - 500 | € 0,055 | € 6,89 |
| 625 - 1125 | € 0,054 | € 6,75 |
| 1250 - 3000 | € 0,052 | € 6,45 |
| 3125 - 6125 | € 0,05 | € 6,31 |
| 6250+ | € 0,049 | € 6,16 |
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Tipo de Encapsulado
SC-75
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
0.9mm
Longitud
1.7mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
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