MOSFET onsemi NVMFS6H801NT1G, VDSS 80 V, ID 157 A, DFN de 5 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
157 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.1mm
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
País de Origen
Malaysia
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€ 16,90
€ 1,69 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 16,90
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Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,69 | € 16,90 |
| 100 - 240 | € 1,456 | € 14,56 |
| 250+ | € 1,262 | € 12,62 |
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DFN
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
166000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.1mm
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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