Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
370 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NVMFS5C404NL
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.1mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
181 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 6,17
€ 6,17 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
370 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
NVMFS5C404NL
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.1mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
181 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.05mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto