MOSFET onsemi NTS2101PT1G, VDSS 8 V, ID 1,5 A, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 780-4755PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTS2101PT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

1.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

8 V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

210 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Disipación de Potencia Máxima

330 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

1.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,4 nC a 5 V

Altura

0.9mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, 8V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 22,79

€ 0,228 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
100 - 225€ 0,228€ 5,70
250 - 475€ 0,198€ 4,94
500 - 975€ 0,173€ 4,32
1000+€ 0,158€ 3,94

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SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

210 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.45V

Disipación de Potencia Máxima

330 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Anchura

1.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

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