Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
8 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
210 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,4 nC a 5 V
Altura
0.9mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, 8V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 22,79
€ 0,228 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 22,79
€ 0,228 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,228 | € 5,70 |
250 - 475 | € 0,198 | € 4,94 |
500 - 975 | € 0,173 | € 4,32 |
1000+ | € 0,158 | € 3,94 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
8 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
210 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Anchura
1.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,4 nC a 5 V
Altura
0.9mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto