Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V dc
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.65mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 6,85
€ 0,685 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 6,85
€ 0,685 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,685 | € 6,85 |
100 - 240 | € 0,59 | € 5,90 |
250 - 490 | € 0,512 | € 5,12 |
500+ | € 0,451 | € 4,50 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
2.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V dc
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud
6.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.65mm
Datos del producto