Transistor Darlington, MJ11016G, NPN 30 A, 120 V, HFE:200, TO-204, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
120 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-204
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
5 V
Tensión Base Máxima del Colector
120 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
4 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+200 °C
Longitud
39.37mm
Profundidad
26.67mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
8.51mm
Dimensiones
39.37 x 26.67 x 8.51mm
País de Origen
Mexico
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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€ 11,43
€ 5,714 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
Estándar
2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 5,714 | € 11,43 |
| 20+ | € 4,928 | € 9,86 |
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Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
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Tipo de montaje
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Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
5 V
Tensión Base Máxima del Colector
120 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
4 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+200 °C
Longitud
39.37mm
Profundidad
26.67mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
8.51mm
Dimensiones
39.37 x 26.67 x 8.51mm
País de Origen
Mexico
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