Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
35 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
PowerTrench
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
19 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45 nC a 10 V
Profundidad
6.22mm
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 7,67
€ 1,533 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 7,67
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5
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
5 - 45 | € 1,533 | € 7,67 |
50 - 95 | € 1,322 | € 6,61 |
100 - 495 | € 1,146 | € 5,73 |
500 - 995 | € 1,008 | € 5,04 |
1000+ | € 0,918 | € 4,59 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
35 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Series
PowerTrench
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
19 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
57000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45 nC a 10 V
Profundidad
6.22mm
Altura
2.39mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.